
Uc/UImA (2)
的电压.测其初始漏电流Ioh。经过1000h后测其终止时漏电流I100h。如果I100h<2Ioh,则认为该阀片在常温下、荷电率K2=0.75时可运行100年。通常制造水平高的ZnO阀片K2=0.8,而在设计及使用中一般取k2<0.8。信息整理:www.yztpdq.com
(2Us+1)×0.75×1.15 (3)
=4kV。将Uc=4kV代入荷电率公式(2)可得K2=0.5,这样的荷电率是可以长期运行的。如果发生单相接地.作用在健全相的MOA 上所承受的持续运行电压的
倍相电压,甚至更高。此时荷电率K"2为:
×
Uc/UImA (5)
Uc (6)
kUc (7)
倍的相电压。以
Uc=7.6kv.将U"c取代(7)式中的Uc并取ZnO阀片的最高制造水平即K=1.5,从(7)式中可得相对地之间的操作冲击电流残压为U100A=16kV.再由(4)式可求出相对相之同的残压为U相间=32kV,都超过了电机绝缘所允许的值UR=15.9kV。

(10)
式中 Uo-------初始电压
U---------限制电压
对于本文所述的四星形接法的MOA,其过电压吸收能量为:
Wz=_U-IT
式中lt一2ms方波通流量
现假定限制电压U为15KV。忽略阻容过电压吸收器的初始电压Uo并设C=0.1μF,ZnO阀片的电流为400A,由此可得出Wc=11.25J,Wz=12000J。阻容过电压吸收的能量远小于TBP吸收的能量,如此小的Wc不能满足限压的要求,较小的开关截流值将引起电容器上的充电电压超过限制值,在这一方面TBP显然优于阻容过电压吸收器。